2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月20日(日) 13:00 〜 17:30 S222 (南2号館)

大橋 直樹(物材機構)、牧野 久雄(高知工科大)

15:00 〜 15:15

[20p-S222-9] 水素を添加したZnO単結晶の欠陥と電気特性

大澤 健男1、坂口 勲1、上田 茂典1、大橋 直樹1 (1.物材機構)

キーワード:酸化亜鉛、電気特性、水素

酸化亜鉛(ZnO) を用いた高機能デバイスを創出する研究が進展している.しかし,近年に育成された高純度なZnO 単結晶でさえ,格子欠陥や微量不純物の課題が未だに残されており,近年では,ドナーとしての水素不純物についての議論が繰り広げされている.これらの複雑なメカニズムを解明することを目指し,本研究では,熱処理等を施した複数のZnO単結晶に水素を添加することで,結晶中の欠陥や電子物性の変化を見出したので報告する.