The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[20p-S223-9~17] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

Sun. Mar 20, 2016 4:15 PM - 6:30 PM S223 (S2)

Kenji Imakita(Kobe Univ.)

5:15 PM - 5:30 PM

[20p-S223-13] Controlling of Eu emission properties in Eu-doped GaN by microcavity

〇(D)Tomohiro Inaba1, Kojima Takanori1, Koizumi Atsushi1, Fujiwara Yasufumi1 (1.Osaka univ.)

Keywords:GaN,Eu,microcavity

Eu添加GaN(GaN:Eu)赤色LEDの実用化にはさらなる発光強度増大が求められており様々な観点から研究されている。本研究では発光強度増大の手段として微小共振器中にGaN:Euを作製し、発光モードを制御することを目的とした。その結果、間接励起において12.9倍の発光強度の増大、指向性の向上などを観測した。この結果より発光モードの制御はGaN:Euの発光強度増大に有効であると示された。