2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス

[20p-S223-9~17] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年3月20日(日) 16:15 〜 18:30 S223 (南2号館)

今北 健二(神戸大)

17:15 〜 17:30

[20p-S223-13] 微小光共振器によるEu添加GaNの発光特性制御

〇(D)稲葉 智宏1、児島 貴徳1、小泉 淳1、藤原 康文1 (1.阪大院工)

キーワード:窒化ガリウム、ユーロピウム、微小共振器

Eu添加GaN(GaN:Eu)赤色LEDの実用化にはさらなる発光強度増大が求められており様々な観点から研究されている。本研究では発光強度増大の手段として微小共振器中にGaN:Euを作製し、発光モードを制御することを目的とした。その結果、間接励起において12.9倍の発光強度の増大、指向性の向上などを観測した。この結果より発光モードの制御はGaN:Euの発光強度増大に有効であると示された。