2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 ナノ構造・量子現象

[20p-S223-1~8] 13.7 ナノ構造・量子現象

2016年3月20日(日) 13:45 〜 15:45 S223 (南2号館)

宮澤 俊之(東大)

14:00 〜 14:15

[20p-S223-2] PbS量子ドット位置制御のためのSiナノ・テンプレートの改良

山下 洲造1、広田 章展2、向井 剛輝1,2 (1.横浜国大理工、2.横浜国大院工)

キーワード:量子ドット、走査型プローブ顕微鏡、位置制御

量子ドット(QD)の位置制御が可能になれば、量子回路等の作製に応用することができる。我々はこれまで、走査型プローブ顕微鏡(SPM)によるSi基板の陽極酸化を用いてナノ・テンプレートを作製し、化学合成QD1個の位置制御に成功した。今回、任意形状のナノ・テンプレートを安定して作製する技術の確立を目指し、SPM陽極酸化における条件の詳細な検討を行った。更に、作製したテンプレートへのQDトラップ実験を行った。