[20p-S223-1~8] 13.7 ナノ構造・量子現象

[20p-S223-6] pnpn構造GaAsにおける電子スピン緩和の時間分解測定

〇両角 篤志^1,2、伊藤 哲^1,2、市田 正夫³、安藤 弘明³ (1.静岡大電子研、2.静岡大院総合科学、3.甲南大理工)

キーワード：スピン緩和時間、GaAs量子ナノ構造、電子・正孔交換相互作用

これまで、励起光の入射パワーにより電子正孔間距離が変化するpnpn試料を用いて、フォトルミネッセンス（PL）スペクトルを測定し、スピン緩和時間を間接的に求め、電子・正孔交換相互作用が、電子スピン緩和時間に与える影響を議論してきた。今回、偏光・時間分解PL測定を行い、直接的にスピン緩和時間を求めたところ、電子正孔間距離の増加によりスピン緩和時間が急激に増加することが確認された。