2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 ナノ構造・量子現象

[20p-S223-1~8] 13.7 ナノ構造・量子現象

2016年3月20日(日) 13:45 〜 15:45 S223 (南2号館)

宮澤 俊之(東大)

15:30 〜 15:45

[20p-S223-8] In0.8Ga0.2As/Al0.5Ga0.5As/AlAs0.56Sb0.44結合量子井戸におけるスピン緩和の観測

石川 友樹1、牛頭 信一郎2、物集 照夫2、浅川 将輝1、大木 俊介1、竹内 淳1 (1.早大先進理工、2.産業技術総合研究所)

キーワード:スピン緩和、結合量子井戸

本研究では円偏光時間分解ポンププローブ反射計測によりInGaAs/AlGaAs/AlAsSb結合量子井戸のスピン緩和現象を調べた。その結果、中間層をAlAsからAlGaAsに変えることにより、中間層がAlAsの結合量子井戸では観測されなかった遅いスピン緩和成分が現れることが分かった。