[20p-S321-1~16] 3.13 Semiconductor optical devices

[20p-S321-1] Improvement of the output power by designing the chip geometry of AlGaN-based Deep UV LEDs on AlN substrate

〇Manabu Taniguchi^1,3, Guo-Dong Hao¹, Kousei Nakaya¹, Naoki Tamari², Shin-ichiro Inoue^1,3,4 (1.NICT, 2.Tokuyama Co. Ltd., 3.Kobe Univ., 4.JST-PRESTO)

Keywords:Deep UV LED

発光波長200～350nmのAlGaN系深紫外LEDは空気や水の殺菌・浄化、光線医療、樹脂硬化、分析などの様々な応用が期待されている。我々は、光取出し効率を196%向上させるナノフォトニック構造をAlN基板上に付加した深紫外LEDを作製し、光出力90mW@265nm（CW駆動）を実証している。今回、更なる光出力の向上に向けて、AlN基板上深紫外LEDのチップ形状の検討を行い、基板の吸収係数に応じてチップ側面の傾斜角度と基板膜厚を制御することで光取出し効率と光出力を大幅に向上できることを理論計算から示し、実験的にもそれを裏付ける結果を得たので報告する。