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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20p-S321-1~16] 3.13 半導体光デバイス

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:00 S321 (南3号館)

宮本智之(東工大)、北田貴弘(徳島大)

16:30 〜 16:45

[20p-S321-11] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP-InPダブルヘテロレーザの低温発振特性

〇西山哲央¹、松本恵一¹、岸川純也¹、鋤柄俊樹¹、大貫雄也¹、鎌田直樹¹、菅家智一¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：レーザ、直接貼り付け法、MOVPE

　　　