[20p-S321-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[20p-S321-16] InP垂直結合型２次元光フェーズドアレイスキャニング素子の設計

〇福田 将治¹、小松 憲人¹、種村 拓夫¹、中野 義昭¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体集積光デバイス、光フェーズドアレイ、光スキャニング

InP/InGaAsP導波路端面に45°一括ミラーを配置した2次元光フェーズドアレイ素子を設計し，3次元FDTDおよび2次元フーリエ解析によりスキャニング特性を検証した．10×10，および，16×16アレイを設計し，0.88°の掃引角（それぞれ0.10°，0.048°の半値全幅）が得られた．光センシングや無線光通信への応用が期待される．