[20p-S321-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[20p-S321-6] 光周波数コムを用いた歪補償多重積層InAsQD-SOAのパルス応答特性評価

〇松本 敦¹、赤羽 浩一¹、坂本 高秀¹、梅沢 俊匡¹、菅野 敦史¹、山本 直克¹ (1.情通機構)

キーワード：量子ドット、半導体光増幅器、光周波数コム

半導体量子ドット（QD）構造を用いた光デバイスは非常に高い性能を持つことが様々な研究機関から報告されている。本研究グループではこれまでに歪補償技術により100層以上のQD多重積層構造を示し、InP(311)B基板を用いることで1.55 mm帯の半導体レーザや半導体光増幅器（SOA）などへの応用を示してきた。今回、光周波数コムによるピコ秒光パルスによりQD-SOAのパルス応答を評価したので報告する。