[20p-S321-1~16] 3.13 半導体光デバイス

△ [20p-S321-8] Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの高変調効率動作

〇(D)井上 大輔¹、平谷 拓生¹、福田 快¹、冨安 高弘¹、雨宮 智宏²、西山 伸彦¹、荒井 滋久^1,2 (1.東工大電気電子、2.東工大量子ナノ)

キーワード：半導体レーザ、薄膜レーザ、Si上レーザ

オンチップ光配線技術の光源として半導体レーザには極低消費電力動作が要求される。我々は半導体薄膜構造による強光閉じ込め効果を用いた薄膜DFBレーザを提案し、これまでに集積導波路を有する薄膜DFBレーザの低しきい値電流動作実現してきた。今回、BCB貼り付け法によってSi基板に貼り付けをした薄膜DFBレーザにおいて、低しきい値電流0.21 mAでの単一モード発振と高変調効率11 GHz/mA^1/2を得たのでご報告する。