[20p-S321-1~16] 3.13 半導体光デバイス

△ [20p-S321-9] Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの初期信頼性

〇福田 快¹、井上 大輔¹、平谷 拓生¹、雨宮 智宏²、西山 伸彦¹、荒井 滋久^1,2 (1.東工大電気電子、2.東工大量子ナノ)

キーワード：半導体レーザ、薄膜レーザ、Si上レーザ

オンチップ光配線技術はLSIのグローバル配線層における遅延や発熱増大の解決方法として有望であり 、その光源として我々は強光閉じ込め効果を用いた半導体薄膜レーザを提案している。今回、片側に劈開面を有するButt-jointed Built-in (BJB) 集積導波路付薄膜DFBレーザの初期信頼性の評価を行い、310 時間の連続駆動後も安定動作することを確認したのでご報告する。