[20p-S323-1~11] 9.5 New functional materials and new phenomena

[20p-S323-11] X-STM/STS study of 2D-topological insulator AlSb/InAs/GaSb/AlSb hetero-structures

〇Tatsuhito Ando¹, Shigeru Kaku¹, Junji Yoshino¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:topological insulator,STM

トポロジカル絶縁体（TI）とは、バルクではエネルギーギャップを持つ絶縁体となっているのに対し、エッジではギャップレスの伝導状態を生じる新奇な物質である。TIはその物理学的な含蓄の深さとデバイスへの応用上の価値の高さから、非常に注目を集めている。今回の講演では2D-TIであるAlSb/InAs/GaSb/AlSb量子井戸構造について、電子状態計算の結果と断面STM/STS測定の結果を比較し、議論する。