[20p-S421-1~12] 17.3 Layered materials

△ [20p-S421-12] Field effect transistor of thin anatase obtained through solid state transformation of Ti_0.87O₂ nanosheet

〇Shunya Sekizaki¹, Minoru Osada², Sasaki Takayoshi², Kosuke Nagashio^1,3 (1.Tokyo Univ, 2.NIMS, 3.PRESTO-JST)

Keywords:anatase,2D material,FET

アナターゼTiO_xのFET応用において結晶性の良いアナターゼを得るには通常20nm以上の厚さが必要であるため表面にはキャリアがほとんど誘起されない．ここでTi_0.87O₂ナノシートは厚さ0.7nm程度の層状物質であり，高温域でアナターゼ，さらにはルチルに固相変態することが知られている．このTi_0.87O₂ナノシートをアナターゼに固相変態させ極薄アナターゼFETを作製することができれば，アナターゼ表面にもキャリアを誘起できる可能性がある．本研究では，Ti_0.87O₂ナノシートから10nm以下の極薄アナターゼFETを作製し，FET特性を評価することを目的とした．