[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

△ [20p-S421-2] 単結晶六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異方性

〇服部 吉晃¹、谷口 尚²、渡邊 賢司²、長汐 晃輔^1,3 (1.東大マテリアル、2.NIMS、3.JST-さきがけ)

キーワード：絶縁破壊、h-BN、吸着水

層状絶縁物質である六方晶ボロンナイトライド(h-BN)はグラフェンFETのゲート絶縁膜や積層型電子デバイスの基板として理想的な物質として広く認識されている．これまでに我々は，コンダクティブAFMを用いたc軸に水平方向の電界(E_//c)印加により破壊強度は12 MV/cm程度であることを報告した．しかしながら，層状構造に起因した絶縁破壊強度の異方性は本質的な特徴であると予想されるが，未だ明確となっていない．本研究ではc軸に垂直方向の電界(E_⊥c)をh-BNに印加して破壊試験を行い，層状物質の異方的な絶縁破壊挙動を理解することを目的とした．