[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

[20p-S421-4] 電界効果ドーピングによる
遷移金属ダイカルコゲナイド原子層ヘテロ構造の発光変調

〇毛利 真一郎¹、張 文金¹、宮内 雄平¹、松田 一成¹ (1.京都大学エネ研)

キーワード：原子層材料、励起子

電界効果トランジスタ(FET)デバイスを用いてキャリア数を変調しながら原子層遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ構造の発光測定を行った。キャリアドープによる励起子発光の減少が観測された。得られた結果をもとに、ヘテロ構造中における光キャリア緩和メカニズムを議論する。