2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス/集積化技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:30 S422 (南4号館)

池田 圭司(東芝)、井田 次郎(金沢工大)

16:45 〜 17:00

[20p-S422-12] GaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの動作実証

〇(D)後藤 高寛1,3、満原 学2,3、星 拓也2,3、杉山 弘樹2,3、竹中 充1,3、高木 信一1,3 (1.東大工、2.NTT、3.JST CREST)

キーワード:トンネル電界効果トランジスタ、ガリウムヒ素アンチモン、インジウムガリウムヒ素

トンネルFETは従来型のMOSFETと比較して、より低電圧化が可能なことから注目が集まっている。その中でも、GaAsSb/InGaAsの系は有効質量が小さく、かつ組成比を変更し実効バンドギャップを低減することでトンネル確率増大が見込まれることから、トンネルFETのチャネルとして期待されている。今回、MOMBE法でInP基板にp-GaAsSb/i-InGaAs層を成長させたヘテロエピウェハを用いて、VD=50mVのとき、低温(20K)でON/OFF比~4桁程度、最小S.S.値~80mV/decのデバイス動作を実証した。