[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-18] Si-TFET中の等価電複合不純物の安定性とトンネル電流特性;第一原理計算に基づく検討

〇飯塚 将太¹、浅山 佳大¹、長澤 晶斗¹、中山 隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：トンネルFET、等価電複合不純物、第一原理計算