[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [20p-S621-11] ストレスライナーによるGe細線への一軸引張歪み印加とバンドギャップ変調

〇田中 章吾¹、岡 博史¹、冨永 幸平¹、天本 隆史¹、小山 真広¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.大阪大学)

キーワード：ゲルマニウム、引張歪み

ゲルマニウム（Ge）は間接遷移型半導体であるが、Γ点とL点の伝導帯下端のエネルギー差は136 meVと小さく、引張歪みの印加によって発光効率の高い直接遷移型バンド構造に変調可能であることが知られている。本研究ではストレスライナー（印加膜）を用いたGe細線への一軸引張歪みの印加を検討し、それに伴うバンド構造変調の評価を行った。