[20p-W351-1~15] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[20p-W351-15] ホルムアミジニウム系ペロブスカイト半導体の光励起レーザー発振

〇佐々木 史雄¹、Nguyen Van-Cao²、柳 久雄² (1.産総研電子光技術、2.奈良先端大物質)

キーワード：半導体レーザー、ペロブスカイト材料、光励起レージング

太陽電池材料としてブレークスルーが起きつつあるペロブスカイト系有機半導体に着目し、この系における半導体レーザーの可能性を探るべく、光励起での発振について研究を進めている。前回、CH₃NH₃BrとPbBr₂を1:1のモル比で溶かし、それをITO基板上にキャストし、自然乾燥させた試料を用いた。特に、キャスト後に別の基板でキャップして乾燥させる手法(cast-capping法)で良好な結晶成長が出来、Fabry-Pérot(FP)発振している様子を報告した。今回、メチルアンモニウムに比べ、大気中での安定性が高いホルムアミジニウムCH(NH₂)₂(FA)での結晶作製を試みた。