[20p-W541-1~16] 3.10 光量子物理・技術

[20p-W541-14] 半導体レーザーカオスと金属導波路を用いたTHz波の発生実験

〇岸端 俊宏¹、赤峰 佑介¹、岩尾 憲幸¹、大井 真夏¹、坂上 直哉¹、白崎 拓郎¹、合田 汐里¹、桑島 史欣¹、谷 正彦²、栗原 一嘉²、山本 晃司²、中島 誠³ (1.福井工大、2.福井大、3.阪大)

キーワード：レーザーカオス、金属導波路、テラヘルツ波

今回、低コスト化とTHz波の検出感度増大を目指すために、ディテクタ側アンテナ背面に設置しているシリコンレンズの代わりに、安価で製作が容易なMetal V Groove(MVG)導波路を用いた。MVGギャップ(約72μm)にTHz波を照射すると、表面プラズモン伝搬モードと結合することで、波長よりも小さい領域を透過し超集束が観測された。THz波信号の peak to peak最大値は約280pA[p-p]に対して、MVG導波路設置時はアンテナの電極ギャップに集光されたTHz波の電界は増強し約720pA[p-p]となり、検出信号が約2.6倍増大した。