[20p-W641-1~9] 誘電体・強誘電体材料評価・解析技術の最先端

[20p-W641-5] ニオブ酸リチウム強誘電体の欠陥制御
－可視光下光起電力の増強へ向けて－

〇犬塚 淳¹、高橋 秀輔¹、吉田 光汰¹、井上 亮太郎²、野口 祐二¹、宮山 勝¹ (1.東大院工、2.日大医)

キーワード：強誘電体、欠陥制御、DFT計算

本研究では、強誘電体における可視光電変換機能の向上を可能とする欠陥制御指針を確立することを目的とする。モデル材料としてニオブ酸リチウムを選択し、バンドギャップ内にエネルギー準位を形成し、可視光吸収の活性中心として働く遷移金属元素（Fe, Mn, Cu）をドープ元素として選んだ。本講演では、DFT計算により得られた電子構造から、各種欠陥が形成する欠陥準位を推定し、単結晶薄膜を用いた実験で検証した結果を報告する。