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一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.1 基礎物性

[20p-W833-1~18] 11.1 基礎物性

2016年3月20日(日) 13:15 〜 18:15 W833 (西8号館)

尾崎壽紀(関西学院大)、山本文子(芝浦工大)、長尾雅則(山梨大)

16:15 〜 16:30

[20p-W833-12] 分子線エピタキシー成長による二次元エレクトライドSr₂Nの作製と評価

〇武田力丸¹、山口紘一¹、内藤方夫¹ (1.農工大工)

キーワード：薄膜、窒化物、分子線エピタキシー

　　　