2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[21a-H101-1~11] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:00 H101 (本館)

細井 卓治(阪大)

11:30 〜 11:45

[21a-H101-10] WC電極とW2C電極によるSiCショットキーダイオードの電気特性評価

〇(M1)鈴木 智之1、若林 整1、筒井 一生1、岩井 洋1、角嶋 邦之1 (1.東工大総理工)

キーワード:シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、ショットキーダイオード