[21a-H101-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21a-H101-4] Nearinterface microscopic structures of thermal oxide on 4H-SiC m-face characterized by FTIR

〇Kohei Kuroyama¹, Hirai Hirohisa¹, Yamamoto Kensaku², Kanemura Takashi², Kita Koji¹ (1.Tokyo Univ., 2.DENSO CORP.)

Keywords:SiC

SiCの熱酸化により形成されるMOS界面の電気特性はSiC基板の面方位に強く依存している。当研究グループではこれまでに全反射減衰法(ATR)を用いたフーリエ変換赤外分光法(FTIR)による解析に基づき、4H-SiCのSi面とC面上の熱酸化膜には、界面近傍(<～3nm)において微視的構造に違いが見られることを報告したが、m面に関しては明らかではない。そこで本研究ではm面上の熱酸化膜の界面近傍における微視的構造についてATR-FTIR法による解析を行った。