[21a-H101-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21a-H101-5] Characterization of Thermal Oxide film quality in the vicinity of SiO₂/SiC interface

〇Ryu Nagai¹, Nozomu Iitsuka¹, Ryu Hasunuma¹, Kikuo Yamabe¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:SiC,dielectric film,SiO2/SiC interface

パワー半導体SiCの熱酸化機構は未解明な部分が多い。本研究では、SiO₂/SiC界面近傍の酸化膜質に注目し、エッチング耐性の観点から膜質評価を試みた。結果、界面近傍には不均一なエッチングを誘発する特異性が存在することが分かった。また、界面で形成された酸化膜は不均一であり、酸化の進行過程で徐々に均一になる可能性を見出した。