[21a-H101-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-H101-5] SiC熱酸化膜における界面近傍の膜質評価

〇永井 龍¹、飯塚 望¹、蓮沼 隆¹、山部 紀久夫¹ (1.筑波大)

キーワード：SiC、絶縁膜、SiO2/SiC界面

パワー半導体SiCの熱酸化機構は未解明な部分が多い。本研究では、SiO₂/SiC界面近傍の酸化膜質に注目し、エッチング耐性の観点から膜質評価を試みた。結果、界面近傍には不均一なエッチングを誘発する特異性が存在することが分かった。また、界面で形成された酸化膜は不均一であり、酸化の進行過程で徐々に均一になる可能性を見出した。