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[21a-H101-7] SiCのWet酸化に伴う酸化膜表面および界面のラフネス増加
キーワード:SiC、Wet酸化、絶縁膜
次世代パワーデバイスの材料として、熱酸化により良好な酸化絶縁膜、SiO2が形成されるSiCが注目されている。しかし、SiC熱酸化膜の界面は極端に悪く、界面形成のメカニズム解明は重要である。我々は今までDry酸化に伴う酸化膜表面および界面のラフネス増加に着目し、熱酸化機構について考察を深めてきた。そこで、良好な界面が得られるWet酸化におけるラフネス増加にも注目し、熱酸化雰囲気の違いによるラフネス形成機構の考察を試みた。