[21a-H101-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [21a-H101-8] 堆積薄膜へのレーザ照射による4H-SiCへのAlのドーピング特性

〇角名 陸歩¹、池田 晃裕¹、池上 浩¹、浅野 種正¹ (1.九大シ情)

キーワード：4H-SiC、p型ドーピング、レーザドーピング

現在、4H-SiCへのドーピングにはイオン注入及び1700℃程度の高温アニールが用いられている．しかし、この高温プロセスでSiC中に結晶欠陥が発生するとされている。そのため、低温ドーピングプロセスが望まれる。そこで、我々は低温ドーピング技術として堆積Al薄膜へのレーザ照射による4H-SiCへのAlドーピングが可能であることを見出した。今回、その方法でドーピングした層の抵抗を評価したので報告する。