[21a-H103-1~10] 6.4 Thin films and New materials

△ [21a-H103-10] Carrier doping to anatase TaON by soft chemical Li insertion

〇Atsushi Suzuki^1,2, Yasushi Hirose^1,2, Shoichiro Nakao², Takafumi Nakagawa¹, Hiroshi Okada¹, Yutaka Matsuo¹, Tetsuya Hasegawa^1,2 (1.Univ. of Tokyo, 2.KAST)

Keywords:oxynitride,carrier doping,anatase structure

アナターゼ型TaONは、その高Hall移動度から透明電極などのエレクトロニクスデバイスへの応用を期待させていたが、有効なドーパントが未開発なため、キャリア濃度が一般的な透明導電体よりも小さく応用には更なる低抵抗化が求められていた。本研究では、アナターゼ型TaONへのLi挿入という手段で10²⁰cm^-3以上のキャリアドープに成功した。これにより、透明電極材料への応用に十分とされる10^-4Ωcm台まで抵抗率を下げることに成功した。