2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[21a-H103-1~10] 6.4 薄膜新材料

2016年3月21日(月) 09:00 〜 11:45 H103 (本館)

鈴木 基史(京大)

11:30 〜 11:45

[21a-H103-10] ソフト化学的Li挿入によるアナターゼ型TaONへのキャリアドープ

鈴木 温1,2、廣瀬 靖1,2、中尾 祥一郎2、中川 貴文1、岡田 洋史1、松尾 豊1、長谷川 哲也1,2 (1.東大院理、2.KAST)

キーワード:酸窒化物、キャリアドープ、アナターゼ構造

アナターゼ型TaONは、その高Hall移動度から透明電極などのエレクトロニクスデバイスへの応用を期待させていたが、有効なドーパントが未開発なため、キャリア濃度が一般的な透明導電体よりも小さく応用には更なる低抵抗化が求められていた。本研究では、アナターゼ型TaONへのLi挿入という手段で1020cm-3以上のキャリアドープに成功した。これにより、透明電極材料への応用に十分とされる10-4Ωcm台まで抵抗率を下げることに成功した。