[21a-H111-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-H111-2] 可視光応答性光触媒NbON(100)薄膜のエピタキシャル成長と残留キャリア密度の低減

〇菊地 諒介¹、中村 透¹、田村 聡¹、村瀬 英昭¹、羽藤 一仁¹ (1.パナソニック)

キーワード：光触媒、酸窒化ニオブ、スパッタリング

我々は、バデライト型結晶構造を有する酸窒化ニオブ(NbON)が、可視光照射下で水分解反応に活性を示す半導体光触媒であることを見出し、反応性スパッタリング法により多結晶NbON薄膜を実現してきた。今回、ルチル型酸化チタン(r-TiO₂)(101)基板上への結晶成長により、NbON(100)エピタキシャル薄膜を得ることに成功した。さらに、2段階成長によるNbON成長温度の低温化により、アニオン欠損を抑制し、残留キャリア密度の低減に成功した。