[21a-H112-1~2] 15.7 エピタキシーの基礎

[21a-H112-1] SiCにおける欠陥誘起ポリタイプの簡単な理解

〇伊藤 智徳¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹ (1.三重大院工)

キーワード：半導体、構造多形