[21a-H112-3~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21a-H112-11] ドット密度の高密度化効果により障壁層を薄膜化した多層積層量子ドット構造の分子線成長とレーザ評価

〇影山 健生¹、ヴォ クオック フイ²、渡邉 克之²、武政 敬三³、菅原 充³、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子、2.東大生研、3.QDレーザ)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ、分子線成長

前回我々は、設備投資や材料変更を伴わずに、簡易にドット密度を高密度化するだけで局所歪の伝播の影響を抑制できることを、初めて計算および実験的に示したが、今回は高密度化した量子ドットを用いて障壁層を薄膜化した多層量子ドット構造の成長に成功した。さらにレーザ特性を評価したので報告する。