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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21a-H112-3~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2016年3月21日(月) 09:30 〜 12:00 H112 (本館)

塚本史郎(阿南高専)

10:00 〜 10:15

[21a-H112-5] InAsSb/GaAs(001)上のInAs成長における3次元核形成機構

〇(B)及川信吾¹、鮫島一樹¹、山口浩一¹ (1.電通大)

キーワード：量子ドット、InAs

　　　