[21a-H112-3~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21a-H112-7] 近赤外広帯域光源を目指したInAs量子ドットの室温PL特性

〇沢渡 義規¹、吉沢 勝美¹、赤羽 浩一²、山本 直克² (1.パイオニアＭＴＣ、2.情通機構)

キーワード：量子ドット、ＭＢＥ、近赤外光源

波長1.0～1.3μm帯の活用のために、半導体量子ドット構造を用いた光源の研究を推進してきた。このような光源開発では、サブナノ分離層SSNSと呼ぶ極薄GaAs層をInAs量子ドット下に設ける構造を提案してきた 。今回、サブナノ分離層に処理を施す手法により、PL波長の大幅な短波化に成功した。