[21a-H112-3~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21a-H112-9] DWell構造によるInP基板上InAs量子ドット発光の長波長化

〇赤羽 浩一¹、松本 敦¹、梅沢 俊匡¹、山本 直克¹、橋本 圭太²、高井 裕司² (1.情通機構、2.東京電機大)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー、中赤外

本研究では1.55µmの通信波長帯を超える長波長領域に応用可能な量子ドット構造を実現することを目的にInP基板上におけるDot-in-Well（DWell）構造を作製し、その評価を行った。室温におけるPL測定ではInGaAs量子井戸の膜厚が増加するに従い、量子ドットからの発光は長波長化する傾向を示し、最長で1840nmのピーク波長を持つ発光が得られた。