[21a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-H121-3] Naフラックス法におけるサファイア溶解を用いたクラックフリー自立GaN基板の作製

〇(M1)山田 拓海¹、今西 正幸¹、中村 幸介¹、村上 航介¹、今林 弘毅¹、松尾 大輔¹、本城 正智¹、丸山 美帆子¹、今出 完¹、吉村 政志¹、森 勇介¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム