[21a-P2-1~52] 1.2 Education

△ [21a-P2-16] Construction of the Elementary Education System for the Process of SiC Power Semiconductor Using TCAD

〇(B)Kouta Takahama¹, Yuki Hirota¹, Yosuke Nakaguchi¹, Takuma Adachi¹, Koji Mukai¹, Takeshi Tanaka¹ (1.Hiroshima Inst. of Tech)

Keywords:SiC,MOSFET,TCAD

本研究ではTCADを用いた半導体プロセス教育システムによる、SiCパワー半導体の技術開発の理解を目指し、SiC-MOSFETのシミュレーションを行った。ゲート電圧30V、ドレイン電圧30Vにおいて220Aの電流が観察できた。また、閾値電圧を0Vとした場合に降伏電圧は1880Vとなった。デバイスの作製からシミュレーションを行い、SiCパワー半導体の初歩的な構造や特性の理解を行うことができた。