[21a-P2-1~52] 1.2 教育

△ [21a-P2-16] TCADを用いた初歩的なSiCパワー半導体プロセスの教育システムの構築

〇(B)高濱 滉太¹、広田 悠輝¹、中口 陽介¹、足立 拓磨¹、向井 浩二¹、田中 武¹ (1.広工大)

キーワード：SiC、MOSFET、TCAD

本研究ではTCADを用いた半導体プロセス教育システムによる、SiCパワー半導体の技術開発の理解を目指し、SiC-MOSFETのシミュレーションを行った。ゲート電圧30V、ドレイン電圧30Vにおいて220Aの電流が観察できた。また、閾値電圧を0Vとした場合に降伏電圧は1880Vとなった。デバイスの作製からシミュレーションを行い、SiCパワー半導体の初歩的な構造や特性の理解を行うことができた。