[21a-P2-1~52] 1.2 Education

△ [21a-P2-17] Ion Implantation and Annealing Effect to Si Using TCAD

〇(B)Yuki Hirota¹, Yosuke nakaguchi¹, Takuma Adachi¹, Kota Takahama¹, Koji Mukai¹, Takeshi Tanaka¹ (1.Hiroshima Inst of Tech)

Keywords:education,semiconductor,technology computer aided design

本研究ではTCADシミュレーションを用いてイオン注入、アニール処理を行うことによりアニール技術の重要性を明確にし、大学教育への応用を試みた。実験の結果、アニール処理には温度依存性があり、一定温度以上では不純物がSi原子と置換しながら拡散していると考えられた。今後、半導体プロセスの基礎的な教育として、TCADを用いたイオン注入とアニールのシミュレーション及び結果の考察を活用したい。