[21a-P2-1~52] 1.2 教育

△ [21a-P2-18] TCADを用いたSiへのイオン注入の角度依存性

〇(B)足立 拓磨¹、広田 悠輝¹、中口 陽介¹、髙濱 滉太¹、向井 浩二¹、田中 武¹ (1.広工大)

キーワード：TCAD、教育、イオン注入

本研究はTCADを用いてイオン注入技術の理解と基礎的な教育システムの構築を目的とした初歩的な研究である.そこでTCADを用いたシミュレーションでイオン注入角による不純物分布への影響を観察した.チルト角0～70°まで変化させた時,チルト角が大きくなるにつれて不純物がウェーハの浅いところに集中して分布することが観察できた.今後TCADを用いた基礎的な教育システムの構築を進めていきたい.