[21a-P2-1~52] 1.2 Education

△ [21a-P2-18] Angle Dependence of ion implantation to Si using TCAD

〇(B)Takuma Adachi¹, Yuki Hirota¹, Yosuke Nakaguchi¹, Kota Takahama¹, Koji Mukai¹, Takeshi Tanaka¹ (1.Hiroshima Inst.of Tech)

Keywords:TCAD,education,ion implantation

本研究はTCADを用いてイオン注入技術の理解と基礎的な教育システムの構築を目的とした初歩的な研究である.そこでTCADを用いたシミュレーションでイオン注入角による不純物分布への影響を観察した.チルト角0～70°まで変化させた時,チルト角が大きくなるにつれて不純物がウェーハの浅いところに集中して分布することが観察できた.今後TCADを用いた基礎的な教育システムの構築を進めていきたい.