[21a-P3-1~12] 1.3 新技術・複合新領域

[21a-P3-11] Deep-RIEにより形成されたトレンチ側面の化学組成に関するプラズマ発光分光分析からの考察

西岡 國生¹、佐藤 美那¹、〇松谷 晃宏¹ (1.東工大半導体ＭＥＭＳ)

キーワード：深掘エッチング、プラズマ

Deep-RIEでは，サイドエッチングやアンダーカットなどの横方向のエッチングを抑制するためにエッチング側面に保護膜を形成する。これまでに我々はエッチング側面の保護膜の組成についてEDX分析を行い，1.5 µm幅の狭いトレンチの側壁保護膜にはCが多く存在し，Fはほとんど検出されなかったことを報告した。今回我々は，Deep-RIEプロセス中のプラズマの発光分光分析を行い，保護膜の組成のEDX分析結果と比較した。