[21a-P7-1~10] 6.6 プローブ顕微鏡

[21a-P7-5] 原子間力顕微鏡を用いたGa/MgAl₂O₄(111)の観察

西村 慶也¹、〇岡田 有史¹、吉村 雅満²、角野 広平¹ (1.京都工繊大工芸、2.豊田工大)

キーワード：原子間力顕微鏡、酸化物表面、ヘテロエピタキシャル成長

本研究ではMgAl₂O₄(111)面にGaを蒸着した際に形成される表面ナノ構造について実空間で調べる．MgAl₂O₄基板は大気中焼成後ヒーターと共に超高真空 (UHV)中に導入した．真空中でのクリーニング後，自家製の蒸着源を用いてGaを蒸着した．真空導入およびGa蒸着の前後について，真空導入前は大気中ダイナミックフォース顕微鏡，真空導入後は非接触原子間力顕微鏡を用いて表面を観察した．Ga蒸着後，表面のテラス上には蒸着前と異なる周期構造が観察された．