[21a-P8-1~27] 16 Amorphous and Microcrystalline Materials（Poster）

[21a-P8-14] Photothermal radiometry for estimation of defect density in silicon thin films(Ⅲ)

〇Hiroki Kato¹, Hiroki Kondo², Masato Ishimoto¹, Norimitsu Yoshida^2,3, Shuichi Nonomura^2,3 (1.Gifu Univ., 2.Graduate school of eng,.Gifu Univ., 3.NexEREC)

Keywords:Photothermal radiometry,silicon thin films,defect density

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜太陽電池における欠陥密度の評価を光熱輻射分光法により試みた。光熱輻射分光法により評価したフォトンエネルギー0.84eVにおける光吸収係数が、発電層の膜厚200 nm – 1000 nmの範囲で 15 cm^-1 – 2.8 cm^-1となり、a-Si:H単層試料の場合とほぼ同様の結果が得られた。このことから、太陽電池構造でのa-Si:H発電層における欠陥密度が光熱輻射分光法により評価可能であることを示した。