[21a-P8-1~27] 16 非晶質・微結晶（ポスター）

[21a-P8-14] 光熱輻射分光法によるシリコン系薄膜の欠陥密度評価(Ⅲ)

〇加藤 大貴¹、近藤 宏紀²、石本 雅人¹、吉田 憲充^2,3、野々村 修一^2,3 (1.岐阜大工、2.岐阜大院工、3.岐大次世代エネセンタ)

キーワード：光熱輻射分光法、シリコン系薄膜、欠陥密度

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜太陽電池における欠陥密度の評価を光熱輻射分光法により試みた。光熱輻射分光法により評価したフォトンエネルギー0.84eVにおける光吸収係数が、発電層の膜厚200 nm – 1000 nmの範囲で 15 cm^-1 – 2.8 cm^-1となり、a-Si:H単層試料の場合とほぼ同様の結果が得られた。このことから、太陽電池構造でのa-Si:H発電層における欠陥密度が光熱輻射分光法により評価可能であることを示した。