[21a-S011-1~12] 17.2 グラフェン

[21a-S011-6] トポロジカル欠陥のある hBN 基板のグラフェンの伝導

〇金子 智昭^1,2、大野 隆央^1,2,3 (1.物質・材料研究機構、2.高効率電デバコンソ、3.東大生産研)

キーワード：グラフェン、六方晶窒化ホウ素、DFT-NEGF

グラフェンデバイスの実現において優良な基板の探索は重要な課題である。hBN は高品質なグラフェンデバイスの基板として知られているが、一方で、高品質な hBN でないと良い伝導特性が得られないということも知られている。我々はこれまで不純物や原子空孔などについての計算を報告してきた。本研究では、トポロジカル欠陥を有する hBN 基板がグラフェンの伝導にどのような影響を与えるか、密度汎関数理論による非平衡グリーン関数法で調べた。