[21a-S011-1~12] 17.2 Graphene

[21a-S011-8] Fundamental study of Ge etching in O₂-dissolved water assisted by graphene catalysts

〇(M2)Daichi Mori¹, Kazuki Nakade¹, Shinsuke Sato¹, Kentaro Kawai¹, Mizuho Morita¹, Kenta Arima¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:graphene,etching,semiconductor surface

我々は, Ge表面にグラフェンフレークを堆積させて, O₂飽和水中に浸漬させると, フレークの存在する場所で選択的にGe表面がエッチングされることを見出した。これは, 水中に溶存しているO₂ガスを介して, グラフェンフレークと接触したGe表面が選択的に酸化し, 同時に酸化物(GeO₂)が水中に溶解したためであると予想される。この結果は, グラフェン触媒を援用した半導体表面の新たな加工プロセスに繋がると期待される。