[21a-S011-1~12] 17.2 グラフェン

[21a-S011-8] グラフェン触媒を援用した水中でのGe表面エッチングの基礎検討

〇(M2)森 大地¹、中出 和希¹、佐藤 慎祐¹、川合 健太郎¹、森田 瑞穂¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：グラフェン、エッチング、半導体表面

我々は, Ge表面にグラフェンフレークを堆積させて, O₂飽和水中に浸漬させると, フレークの存在する場所で選択的にGe表面がエッチングされることを見出した。これは, 水中に溶存しているO₂ガスを介して, グラフェンフレークと接触したGe表面が選択的に酸化し, 同時に酸化物(GeO₂)が水中に溶解したためであると予想される。この結果は, グラフェン触媒を援用した半導体表面の新たな加工プロセスに繋がると期待される。