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[21a-S223-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】 Si(111)基板上BaSi2エピタキシャル膜の双晶粒界に対する第一原理計算
キーワード:シリサイド、結晶粒界
本研究では、シリサイド半導体BaSi2の双晶粒界に対して、第一原理計算を用いた理論的視点からDB の構造、少数キャリアに対する特性を検討した。最安定な界面モデルにおいて、粒界近傍とバルク結晶内部の各原子における局所状態密度に顕著な変化は見られなかった。そのため、BaSi2 の双晶粒界は少数キャリアトラップとして働かないことが考えられる。